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电子元器件详细资料 » IC[26257] » IXFN180N10
型号:IXFN180N10类别:FET制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC描述:MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

详细参数

类别FET
描述MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
系列HiPerFET™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C180A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C8 毫欧 @ 500mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 8mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs360nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds9100pF @ 25V
功率_最大600W
安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装SOT-227B
包装管件

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